Электронные компоненты
Приборы, оборудование, материалы
Информационная поддержка

Cree SiC диоды

Версия для печати
Главная >> Cree SiC диоды

Новое семейство SiC диодов Шоттки 1200V Z-Rec™ от CREE POWER

 

 CREE POWER, лидер в области производства устройств на карбиде кремния (SiC), представляет новое семейство – линейку 1200V Z-Rec™ SiC диодов, оптимизированных по цене и производительности. CREE POWER продолжает совершенствовать SiC диоды Шоттки для силовых применений, вводя семейство с широким диапазоном токов в различных корпусах.

Для разработки следующего поколения силовых устройств, инженеры-конструкторы используют уникальные преимущества производительности SiC диодов Шоттки – нулевые потери обратного восстановления, потери переключения, независящие от температуры, более высокую рабочую частоту. Новое семейство допускает более высокую плотность тока без потери производительности по сравнению с предыдущей генерацией SiC диодов Шоттки. Успехи CREE POWER в проектировании SiC устройств и непрерывное совершенствование технологических процессов позволяют предлагать значительно более высокие значения силы тока по более низкой стоимости на ампер.

Z-Rec диоды компании CREE POWER имеют нулевые потери обратного восстановления и, как следствие,  50% уменьшение потерь на переключение по сравнению с диодами на основе кремния. Это также увеличивает производительность во всем температурном диапазоне, что упрощает проектирование схем и уменьшает потребность в сложном управлении  температурными режимами. В сочетании с 1200V SiC MOSFET эти SiC диоды Шоттки позволяют реализовать схемы «all-SiC»  с возможностью управления на частотах, до четырех раз больших, по сравнению со стандартными кремниевыми диодами и IGBT. Это обеспечивает уменьшение размера, сложности и стоимости схемы инвертора, при достижении чрезвычайно высокой системной эффективности. Наконец, у этого нового семейства есть дополнительные преимущества по сравнению с предыдущим семейством SiC диодов Шоттки – более высокие пиковые токи, что позволяет увеличить полную надежность систем.

Эти устройства идеальны как демпферные и антипараллельные диоды в солнечных инверторах и 3-фазовых схемах электропривода, а так же в корректорах коэффициента мощности (PFC), демпферных схемах в UPS и источниках питания. Также, они могут использоваться в приложениях, где предъявляются более высокие требования к устройствам питания.

Новые SiC устройства выпускаются с параметрами: 2A [C4D02120x], 5A [C4D05120x], 10A [C4D10120x], 20A [C4D20120x] и 40A [C4D40120x]. В зависимости от силы тока, диоды доступны в стандартном или полностью изолированном TO220 и стандартном TO247 корпусах.

Заказать образцы Z-Rec SiC   

Задать вопрос 

 


Материал получен с сайта ЗАО "Компэл" - compel.ru